Транзистор с высокой подвижностью электронов

Qualität:

Artikel "Транзистор с высокой подвижностью электронов" in der russischen Wikipedia hat 22.6 Punkte für Qualität (Stand 1. August 2024). Der Artikel enthält 5 Referenzen und 12 Abschnitte.

Dieser Artikel hat die beste Qualität in der englischen Wikipedia. Außerdem ist dieser Artikel in dieser Sprachversion der beliebteste.

Seit der Erstellung des Artikels "Транзистор с высокой подвижностью электронов" wurde sein Inhalt von 23 registrierten Benutzern der russischen Wikipedia verfasst und von 268 registrierten Wikipedia-Benutzern in allen Sprachen bearbeitet.

Der Artikel wird 18 Mal in der russischen Wikipedia zitiert und in allen Sprachen 341 Mal zitiert.

Der höchste Autoreninteresse-Rang aus dem Jahr 2001:

• Lokales (Russische): Nr. 11582 im Dezember 2014
• Globales: Nr. 41373 im März 2004

Der höchste Beliebtheitsrang aus dem Jahr 2008:

• Lokales (Russische): Nr. 101158 im Mai 2010
• Globales: Nr. 150920 im April 2015

Es gibt 15 Sprachversionen für diesen Artikel in der WikiRank-Datenbank (von den berücksichtigten 55 Wikipedia-Sprachausgaben).

Die Qualitäts- und Beliebtheitsbewertung basierte auf Wikipedia-Dumps vom 1. August 2024 (einschließlich Revisionsverlauf und Seitenaufrufe für frühere Jahre).

Die folgende Tabelle zeigt die Sprachversionen des Artikels mit der höchsten Qualität.

#	Sprache	Qualitätsstufe	Qualitätsfaktor
1	Englische (en) High-electron-mobility transistor		46.5631
2	Deutsche (de) High-electron-mobility transistor		24.7274
3	Vietnamesische (vi) HEMT		23.7121
4	Russische (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		22.5664
5	Katalanische (ca) HEMT		16.5895
6	Japanische (ja) 高電子移動度トランジスタ		10.2404
7	Chinesische (zh) 高电子迁移率晶体管		9.0011
8	Spanische (es) Transistores HEMT		7.0771
9	Indonesische (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		6.2008
10	Schwedische (sv) HEMT		4.1996

Die folgende Tabelle zeigt die beliebtesten Sprachversionen des Artikels.

#	Sprache	Beliebtheitspreis	Relative Beliebtheit
1	Englische (en) High-electron-mobility transistor		912 934
2	Japanische (ja) 高電子移動度トランジスタ		259 816
3	Deutsche (de) High-electron-mobility transistor		115 247
4	Russische (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		104 257
5	Chinesische (zh) 高电子迁移率晶体管		64 432
6	Spanische (es) Transistores HEMT		43 637
7	Italienische (it) HEMT		27 288
8	Indonesische (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		11 208
9	Französische (fr) MODFET		9 942
10	Schwedische (sv) HEMT		5 556

Die folgende Tabelle zeigt die Sprachversionen des Artikels mit der höchsten Popularität im letzten Monat.

#	Sprache	Beliebtheitspreis	Relative Beliebtheit
1	Englische (en) High-electron-mobility transistor		2 815
2	Japanische (ja) 高電子移動度トランジスタ		582
3	Deutsche (de) High-electron-mobility transistor		417
4	Chinesische (zh) 高电子迁移率晶体管		391
5	Russische (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		326
6	Französische (fr) MODFET		73
7	Spanische (es) Transistores HEMT		64
8	Italienische (it) HEMT		63
9	Polnische (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		20
10	Persische (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		17

Die folgende Tabelle zeigt die Sprachversionen des Artikels mit dem höchsten Autoren Interesse.

#	Sprache	AI-Auszeichnung	Relativer AI
1	Englische (en) High-electron-mobility transistor		93
2	Deutsche (de) High-electron-mobility transistor		33
3	Italienische (it) HEMT		32
4	Japanische (ja) 高電子移動度トランジスタ		23
5	Russische (ru) Транзистор с высокой подвижностью электронов		23
6	Spanische (es) Transistores HEMT		12
7	Katalanische (ca) HEMT		9
8	Schwedische (sv) HEMT		9
9	Französische (fr) MODFET		8
10	Indonesische (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		7

Die folgende Tabelle zeigt die Sprachversionen des Artikels mit dem höchsten Autoren Interesse im letzten Monat.

#	Sprache	AI-Auszeichnung	Relativer AI
1	Katalanische (ca) HEMT		0
2	Deutsche (de) High-electron-mobility transistor		0
3	Englische (en) High-electron-mobility transistor		0
4	Spanische (es) Transistores HEMT		0
5	Persische (fa) ترانزیستور تحرک الکترونی بالا		0
6	Französische (fr) MODFET		0
7	Indonesische (id) Transistor pergerakan-elektron tinggi		0
8	Italienische (it) HEMT		0
9	Japanische (ja) 高電子移動度トランジスタ		0
10	Polnische (pl) Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów		0

Die folgende Tabelle zeigt die Sprachversionen des Artikels mit der höchsten Anzahl an Zitaten.

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